전계 效果(효과) 트랜지스터
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작성일 23-02-01 16:49
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1) 접합형 FET (Junction FET(JFET))
또한 아래 그림에서 전하운반자의 흐름은 n-type 반도체 내에서만 가능하기 때문에 전자가 전하운반자가 되고, 가 커지면 Gate가 다른 전극에 비해 더 음이 되기 때문에 공핍층의 두께가 두꺼워지게 된다. 전하운반자가 흐르는 경로를 channel이라 부르는데 가 커질수록 channel은 좁아지게 된다. 그래서 p-type과 n-type 사이에는 극성을 띄지 않는 층(layer)이 존재하게 되는데 이 층을 공핍층(Depletion Layer)이라 부른다.
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4) 전달 콘덕턴스곡선(transconductance curve) 그림13-2는 정상적으로 bias된 JFET를 나타낸다.
설명
다. BJT에서는 베이스-에미터간에는 순방향으로 bias 되는데 반하여 JFET에서는 반드시 역방향으로 bias 된다는 사실이 다르다.
3) Drain Curve
트랜지스터, 단우일부 지음, GB기획센터 옮김, 한진 ()
순서
2) Biased JFET
전계효과 트랜지스터 fet 전자 전하 / 전계효과 트랜지스터, 김보연 편 지음, 한진 트랜지스터, 단우일부 지음, GB기획센터 옮김, 한진 ()
전계 效果(효과) 트랜지스터
전계효과 트랜지스터 fet 전자 전하
전계效果(효과) 트랜지스터 fet 전자 전하 / 전계效果(효과) 트랜지스터, 김보연 편 지음, 한진
그림13-2에서 Gate는 Source와 Drain에 대해 역방향으로 bias되기 때문에 n-type 반도체의 전하운반자는 Gate에 대해 먼쪽으로 이동하게 된다.
